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您所在的位置:首页>技术资料>半导电屏蔽电阻率测量方法-GB/T 12706.3-2008

 

半导电屏蔽电阻率测量方法

从150 mm长成品电缆样品上制备试样。
将电缆绝缘线芯样品沿纵向对半切开,除去导体以制备导体屏蔽试样,如有隔离层也应去掉(见图C.1a))。将绝缘线芯外所有保护层除去后制备绝缘屏蔽试片(见图C.1b)).
屏蔽层体积电阻系数的测定步骤如下:
将四只涂银电极A.B.C和D(见图C.1a)和C.1b))置于半导电层表面。两个电位电极B和C间距50 mm。两个电流电极A和D相应地在电位电极外侧间隔至少25mm。
采用合适的夹子连接电极。在连接导体屏蔽电极时,应确保夹子与试样外表面绝缘屏蔽层的绝缘。将组装好的试样放人预热到规定温度的烘箱中。30 min 后用测试线路测量电极间电阻,测试线路的功率不超过100mW。
电阻测量后,在室温下测量导体屏蔽和绝缘的外径及导体屏蔽和绝缘屏蔽层的厚度。每个数据取六个测量值的平均值(见图C.1b))。

半导电屏蔽电阻率测量方法

 

半导电屏蔽电阻率测量方法

 

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